VersaScan微區(qū)掃描電化學(xué)工作站是一個(gè)建立在電化學(xué)掃描探針的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上的，進(jìn)行高測(cè)量分辨率及空間分辨率的非接觸式微區(qū)形貌及電化學(xué)微區(qū)測(cè)試系統(tǒng)。它是提供給電化學(xué)及材料測(cè)試以*空間分辨率的一個(gè)測(cè)試平臺(tái)。它是一個(gè)模塊化配置的系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)如下微區(qū)掃描探針電化學(xué)技術(shù)以及激光非接觸式微區(qū)形貌測(cè)試：
VersaSCAN SECM 掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)整合了定位系統(tǒng)、兩臺(tái)VersaSTAT恒電位儀和錐形拋光的微電極探針為一體。SECM多樣化的技術(shù)提供了高空間分辨率，可應(yīng)用于反應(yīng)動(dòng)力學(xué)，生物傳感器，催化劑和腐蝕機(jī)理等研究。

VersaSCAN SVET 掃描振動(dòng)電極測(cè)量系統(tǒng)整合了定位系統(tǒng)及鎖相放大器技術(shù)(Signal Recovery Lock-in Amplifier), 壓電振動(dòng)模塊, 電位計(jì)和單絲探針。 SVET技術(shù)測(cè)量溶液中的電壓降。電解液中的電壓降是由樣品表面的局部電流所導(dǎo)致的。 SVET提供高分辨率可應(yīng)用于不均勻腐蝕，點(diǎn)蝕，焊接和電耦合等。此外，SVET還有生物方面的應(yīng)用。

VersaSCAN LEIS 微區(qū)電化學(xué)阻抗測(cè)試系統(tǒng)整合了 定位系統(tǒng)和VersaSTAT 3F 及差分電壓選項(xiàng), 靜電計(jì)，雙探頭探針。 LEIS技術(shù)是通過(guò)測(cè)量施加于樣品的交流電壓和由探針?biāo)鶞y(cè)量的溶液中交流電流的比值，來(lái)計(jì)算局部阻抗，LEIS加入高的空間分辨率，可應(yīng)用于有機(jī)涂層，裸露的金屬腐蝕，和所有和增加的交流技術(shù)相關(guān)的應(yīng)用。

VersaSCAN SKP 掃描開(kāi)爾文探針系統(tǒng)整合定位系統(tǒng)及鎖相放大器技術(shù)(Signal Recovery Lock-in Amplifier), 壓電振動(dòng)模塊, 電位計(jì)和鎢絲探針。SKP 技術(shù)測(cè)量探針和樣品表面位置的相對(duì)功函差。這是一個(gè)非破壞的技術(shù)，可運(yùn)行于環(huán)境氣氛，潮濕氣氛和無(wú)電解液情況下。相對(duì)功函已經(jīng)被證實(shí)與腐蝕電位 (Ecorr)相關(guān)。SKP 提供的高空間分辨率可應(yīng)用于材料，半導(dǎo)體，金屬腐蝕，甚至這些材料上的涂層。

VersaSCAN SDC 電解液微滴掃描系統(tǒng)整合電位系統(tǒng)和一臺(tái)VersaSTAT,  一個(gè)機(jī)械加工的PTFE 滴液系統(tǒng)頭, 以及一個(gè)蠕動(dòng)泵。SDC 技術(shù)對(duì)電解液微滴進(jìn)行電化學(xué)測(cè)量, 固定電極/電解液界面的面積。SDC提供高空間分辨率可應(yīng)用于動(dòng)力學(xué)，腐蝕，流體研究和任何研究樣品表面微小面積而無(wú)需破壞樣品的應(yīng)用或者控制面積在不同電解液中的暴露時(shí)間的應(yīng)用。

VersaSCAN OSP 非觸式光學(xué)微區(qū)形貌測(cè)試系統(tǒng)整合定位系統(tǒng)和高精度，高速度激光位移傳感器。 OSP 技術(shù)使用漫反射機(jī)理用于樣品的表面形貌。OSP可作為非常靈敏水平的機(jī)制用于表面形貌測(cè)量，或繪制地形圖與其它掃描探針技術(shù)一起應(yīng)用于樣品表面定距離掃描測(cè)試。